藍寶石拋光液檢測適用于各種領(lǐng)域
   藍寶石拋光液檢測是一種分散穩(wěn)定性好的a相納米氧化鋁拋光液，是我公司將不同粒徑的納米氧化鋁拋光粉經(jīng)過特殊的分散工藝，分散成穩(wěn)定的懸浮液，方便直接使用于粉體拋光粉適用的各種領(lǐng)域。
   藍寶石拋光液檢測操作方便，在工作過程中可隨時抽查零件的加工效果，機器可配自動出料裝置，可將拋磨塊與工件進行分離，工件自動排出。藍寶石拋光液晶粒尺寸微細、晶型完好；比重大，具有良好的分散性。 顆粒細小均勻無團聚，適合于鏡面精拋光用途。
   化學機械拋光這兩個概念主要出現(xiàn)在半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)— —化學機械拋光技術(shù)取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表 面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
   藍寶石拋光液檢測依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面 反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。
   藍寶石拋光液檢測是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使藍寶石拋光液檢測拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。